Augsta līmeņa produktu silīcija nitrīds

Daļēji izkristalizētas silīcija mozaīkas mikrostruktūrassilīcija nitrīdsFilmas, kuras sagatavojusi LPCVD. Atkarībā no augšanas apstākļiem un procesa struktūras mērogs svārstās no desmitiem līdz simtiem nanometru. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40 mm × 40mm. Balstoties uz šī pētījuma rezultātiem, LPCVD realizēja kontrolēto SINX membrānu pieaugumu ar noteiktu stiepes stresu.

1.Silīcija nitrīdsPlānās plēves (sin _ x) tika sagatavotas ar zema spiediena ķīmisko tvaiku nogulsnēšanās (LPCVD) tehnoloģiju, izmantojot attiecīgi silānu un amonjaku kā attiecīgi silīcija un slāpekļa avotus, un augstas šķīstības slāpekļa kā nesējgāzi. Sin _ X plēvju augšanas kinētika tika pētīta pēc elipsometrijas, sin _ X plēvēm raksturoja Furjē infrasarkanā spektroskopija un rentgenstaru fotoelektronu spektroskopija, un tika novērota mikroskopiskā morfoloģija. Tādos pašos citos procesos sin _ X plēves augšanas ātrums palielinās monotoniski, palielinoties darba spiedienam, un amonjaka plūsmas ātruma un silāna plūsmas ātruma attiecība (r) barības gāzē ir pretēja ietekme uz filmas augšanas ātrumu. Palielinoties reakcijas temperatūrai, nogulsnēšanās ātrums pakāpeniski palielinās, sasniedzot maksimumu ap 840 grādiem un pēc tam strauji samazinoties. Kad tiek izmantots R2, tiek iegūta si bagāta sin _ x plāna plēve (x1.33). Kad tiek izmantots R4, iegūst grēku _ x plēve ar gandrīz stehiometrisko (z≈1.33).

Populāri tagi: Augsta līmeņa produktu silīcija nitrīds, Ķīna Augsta līmeņa produktu silīcija nitrīdu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca