Viens no augsta līmeņa metālu silīcija nitrīda

Izmantojot alumīnija oksīda-yttrium oksīdu kā saķepināšanas palīdzību, tika izmantota īpaša volframa karbīda lodīšu dzirnavas un lodīšu dzirnavas, lai ieviestu volframa karbīdu (WC)silīcija nitrīdsKeramika, izmantojot mehānisku bumbiņu frēzēšanu, un straujai saķeiēšanai tika izmantota izlādes plazmas saķepināšanas tehnoloģija (SPS), un fāzes silīcija nitrīda keramika ar augstām mehāniskām īpašībām tika sagatavota. Volframa karbīda ieviešana efektīvi samazina fāžu nokrišņu aktivizācijas enerģiju un nepārtrauktu augšanu, veicina silīcija nitrīda keramikas fāzes → pāreju un realizē saķepinātu paraugu blīvēšanu. Palielinoties volframa karbīda ievadam, saķepinātā parauga lieces stiprums strauji palielinās no 729MPa līdz 1090MPA, kas tiek palielināts par 49,5%.

1.Si3n4 radoma materiāls ar relatīvu blīvumu 0. 72, vienveidīga struktūra, 89 MPa un labas dielektriskās īpašības tika saķepinātas atmosfēras spiedienā pie 1 510 pakāpes plūstoša augstas tīrības N2 kā kontroles atmosfēras stāvoklī. Nanopowder izejviela satur lielu daudzumu SiO2, kas var veicināt zaļā ķermeņa saķepināšanu un ļoti ietekmē porcelāna dielektriskās īpašības. Sakarā ar zaļā ķermeņa saraušanos, dielektriskā konstante palielinās, palielinoties saķepināšanas temperatūrai pirms blīvēšanas. Kad temperatūra ir augstāka par 1 510 pakāpi, palielinoties saķepinēšanas temperatūrai, palielinās nitring si-O skaits izejvielā, palielinās porcelāna ķermeņa makroskopiskie defekti un relatīvā blīvums samazinās, tāpēc porcelāna ķermeņa dielektriskā konstante samazinās. 1 510 grāda saķepināšanas temperatūrā zaļajā ķermenī si-o nevar būt nitridele bez iestrādāt. Kad grafīta pulveris tiek izmantots kā iegults materiāls, notiek karburēšana, kas samazina dielektriskās īpašībassilīcija nitrīdsradoma materiāls.

Populāri tagi: Viens no augsta līmeņa metālu silīcija nitrīda, Ķīna, viena no augsta līmeņa metālu silīcija nitrīdu ražotājiem, piegādātājiem, rūpnīcai