Augsta līmeņa metāla silīcija metāls 551

Pusvadītāju ierīces ražošanas metode, pusvadītāju ierīce sastāv no pusvadītāju korpusa ar virsmu, virsmu atrodas blakus silīcija reģionam un izolācijas materiāla laukumam, katram silīcija reģionam ir nodrošināts ar augšējo slāni ar augšējo slāni, kurā ir augšējais slānis no slāņa, kurā ir augšējais slānis slānis no slāņa, kurā ir augšējais slānis slānis no slāņa.silīcija metāls 551, Metāls tiek nogulsnēts uz pusvadītāja ķermeņa virsmas, un pēc tam pusvadītāja ķermeni karsē līdz metāla silicīda veidošanās temperatūrai nogulsnēšanās procesā. Tas, kas tiek nogulsnēts, ir kobalts un niķelis, un pēc tam pusvadītāju ķermeni karsē līdz temperatūrai, kur veidojas kobalta vai niķeļa silicīds. Lai izvairītos no metāla silikīdu augšanas katrā izolācijas materiāla laukuma daļā, kas atrodas blakus katrai silīcija zonai.

1.Lai samazinātu grūtības pārraudzītajam procesamsilīcija metāls 551Silikinga metāls tika attīrīts, pamatojoties uz nobriedušo istabas temperatūras kodēšanas tehnoloģiju un jauno mitrā skābekļa oksidācijas tehnoloģiju. Galvenā marinēšanas funkcija ir noņemt lielāko daļu metāla piemaisījumu, kas pakļauti silīcija metāla daļiņu virsmai; Pēc mitrās skābekļa oksidācijas bors ar nelielu koagulācijas koeficientu (koagulācijas koeficients silīcija un silīcija dioksīda sistēmās) daļiņās difūzās silīcija dioksīda augstā temperatūrā un pēc tam korodē, lai noņemtu oksīda slāni un tajā esošos impurācijas. Eksperimenti rāda, ka metodei ir acīmredzama attīrīšanas ietekme uz bora piemaisījumiem, un bora piemaisījumu saturs ir tikpat zems kā 4 × 10-6.

Populāri tagi: Augsta līmeņa metāla silīcija metāls 551, Ķīnas augsta līmeņa metāla silīcija metāls 551 ražotāji, piegādātāji, rūpnīca