Augsta līmeņa materiāls Silicon Metal 3303

Silīcijs un daudzi metāli periodiskajā tabulā var veidot metālu silicīdus. Pēdējo desmit gadu laikā pusvadītāju zinātnes un tehnoloģiju attīstības un prasību dēļ tika veikti pētījumi parSilīcija metāls 3303ir bijis aktīvs. Mikroelektronisko ierīču (LSI, VLSI) pamatstruktūra satur lielu skaitu metalizācijas sistēmu, piemēram, ierīču un šūnu savstarpējo savienojumu, silīcija un metāla kontaktu [Schottky barjera (SB) un omijas kontakti] un vārtu elektrodi. Tiek lēsts, ka katrs gabals ir 256 kmos RA.

1.Augstas tīrības pakāpes polisilīcija,silīcija metāls 3303ir galvenā saules fotoelementu rūpniecības izejviela, galvenā tehnoloģija augstas tīrības polisilīcija ražošanai šajā posmā ir Siemens metode, taču šīs metodes ražošanas izmaksas joprojām ir augstas, tāpēc zemu izmaksu augstas tīrības polisilīcija izpēte. ražošanas tehnoloģija ir kļuvusi par vienu no pētniecības karstajiem punktiem gan mājās, gan ārvalstīs. Pašlaik zemu izmaksu polisilīcija ražošanas tehnoloģija galvenokārt ir fiziska metode, tostarp metalurģijas metode un smagā leģēta silīcija atkritumu attīrīšanas metode. Saules kvalitātes polisilīcija ražošanas atslēga ar metalurģisko metodi ir bora atdalīšana. Pētnieciskiem eksperimentālajiem pētījumiem tika izvēlēts spridzināšanas izdedžu un bora atdalīšanas process, un oksidācijas reakcija starp reakcijas gāzi un boru izdedžos un silīcija šķidrumā tika izmantota, lai sasniegtu bora atdalīšanas mērķi un jauns veids, kā sagatavot augstu tīrības polisilīcijs tika pētīts ar metalurģisko metodi.

Populāri tagi: Augsta līmeņa materiāls silīcija metāls 3303, Ķīnas augsta līmeņa materiāls silīcija metāls 3303 ražotāji, piegādātāji, rūpnīca